DTB114GKT146

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DTB114GKT146概述

晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SMT3


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TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3


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DTB114GKT146中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -500 mA

额定功率 0.2 W

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTB114GKT146引脚图与封装图
DTB114GKT146引脚图
DTB114GKT146封装图
DTB114GKT146封装焊盘图
在线购买DTB114GKT146
型号: DTB114GKT146
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm

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