双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 30MA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 30MA
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin VMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -30.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 VMT-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA124EMT2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA124EUAFRAT106 罗姆半导体 | 完全替代 | DTA124EMT2L和DTA124EUAFRAT106的区别 |
DTA124EKAT146 罗姆半导体 | 类似代替 | DTA124EMT2L和DTA124EKAT146的区别 |
DTA124EUAT106 罗姆半导体 | 类似代替 | DTA124EMT2L和DTA124EUAT106的区别 |