EMT NPN 50V 100mA
- 双极 BJT - 单，预偏置
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
DeviceMart:
TRANS NPN 50V 100MA SOT-416
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SC-75-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTC124TETL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC115TMT2L 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC124TETL和DTC115TMT2L的区别 |
DTC143TETL 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC124TETL和DTC143TETL的区别 |
DDTC124TE-7 美台 | 类似代替 | DTC124TETL和DDTC124TE-7的区别 |