晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 50MA
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin VMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
DeviceMart:
TRANS PNP 50V 50MA VMT3
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -50.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 30
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 VMT-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA114EMT2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA114TMT2L 罗姆半导体 | 类似代替 | DTA114EMT2L和DTA114TMT2L的区别 |
DTA114YMT2L 罗姆半导体 | 类似代替 | DTA114EMT2L和DTA114YMT2L的区别 |
DTA114EM3T5G 安森美 | 功能相似 | DTA114EMT2L和DTA114EM3T5G的区别 |