DTA114WUAT106

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DTA114WUAT106概述

晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm, 2.13 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm, 2.13 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R


DeviceMart:
TRANS PNP 50V 100MA SOT-323


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3


DTA114WUAT106中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

额定功率 0.2 W

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 24 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTA114WUAT106引脚图与封装图
DTA114WUAT106引脚图
DTA114WUAT106封装图
DTA114WUAT106封装焊盘图
在线购买DTA114WUAT106
型号: DTA114WUAT106
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm, 2.13 电阻比率
替代型号DTA114WUAT106
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTA114WUAT106

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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