SMT NPN 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTC124GKAT146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC124GUAT106 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC124GKAT146和DTC124GUAT106的区别 |
DTC124GSATP 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC124GKAT146和DTC124GSATP的区别 |
DTC124EETL 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC124GKAT146和DTC124EETL的区别 |