UMTF PNP 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGITAL TRANSISTOR -100MA-50V
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F
DeviceMart:
TRAN DIGITL PNP 50V 100MA UMT3F
额定功率 0.2 W
输出电压 100 mV
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 UMT-3F-3
封装 UMT-3F-3
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA123JUBTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DDTA123JUA-7 美台 | 类似代替 | DTA123JUBTL和DDTA123JUA-7的区别 |
DTA123JUAT106 罗姆半导体 | 功能相似 | DTA123JUBTL和DTA123JUAT106的区别 |
DDTA123JUA-7-F 美台 | 功能相似 | DTA123JUBTL和DDTA123JUA-7-F的区别 |