DTC124GUAT106参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC124GUAT106概述

百毫安/ 50V数字晶体管（带内置式电阻器） 100mA / 50V Digital transistors with built-in resistors

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压表面贴装型 UMT3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

立创商城:
1个NPN-预偏置 100mA 50V

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R

DTC124GUAT106中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 0.2 W

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTC124GUAT106引脚图与封装图

在线购买DTC124GUAT106

型号： DTC124GUAT106

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：百毫安/ 50V数字晶体管（带内置式电阻器） 100mA / 50V Digital transistors with built-in resistors

替代型号DTC124GUAT106

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTC124GUAT106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTC124GKAT146 罗姆半导体	完全替代	DTC124GUAT106和DTC124GKAT146的区别
DTC124GSATP 罗姆半导体	完全替代	DTC124GUAT106和DTC124GSATP的区别
DTC124EETL 罗姆半导体	类似代替	DTC124GUAT106和DTC124EETL的区别