DTA114GUAT106参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA114GUAT106概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R

安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R

Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R

DeviceMart:
TRANS DGTL PNP 50V 100MA SOT-323

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

DTA114GUAT106中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

额定功率 0.2 W

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTA114GUAT106引脚图与封装图

在线购买DTA114GUAT106

型号： DTA114GUAT106

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm

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替代型号DTA114GUAT106

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