DTA114WKAT146参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA114WKAT146概述

SMT PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin SMT T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

DTA114WKAT146中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 24 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTA114WKAT146引脚图与封装图

在线购买DTA114WKAT146

型号： DTA114WKAT146

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SMT PNP 50V 100mA

替代型号DTA114WKAT146

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTA114WKAT146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTA114WKA 罗姆半导体	类似代替	DTA114WKAT146和DTA114WKA的区别
DDTA114WCA-7 美台	类似代替	DTA114WKAT146和DDTA114WCA-7的区别
DDTA114WKA-7 美台	功能相似	DTA114WKAT146和DDTA114WKA-7的区别