DRA2144T0L参数规格_中文资料_数据手册PDF

DRA2144T0L概述

Mini3-G3-B PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

DRA2144T0L中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DRA2144T0L引脚图与封装图

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型号： DRA2144T0L

描述：Mini3-G3-B PNP 50V 100mA