SMT PNP 50V 100mA
- 双极 BJT - 单，预偏置
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
安富利:
These are the standard products of "digital transistors" which ROHM invented and marketed first in the world.
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA144GKAT146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA144GUAT106 罗姆半导体 | 类似代替 | DTA144GKAT146和DTA144GUAT106的区别 |
DTA144EMT2L 罗姆半导体 | 类似代替 | DTA144GKAT146和DTA144EMT2L的区别 |
DDTA144GCA-7 美台 | 类似代替 | DTA144GKAT146和DDTA144GCA-7的区别 |