DTD543ZETL

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DTD543ZETL概述

晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3


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DTD543ZETL


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3


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Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR


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晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm


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Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R


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Trans Digital BJT NPN 500mA 3-Pin EMT T/R


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Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R


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TRANS DIGITAL NPN 12V 500MA EMT3


DTD543ZETL中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

输出电压 60 mV

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 260 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTD543ZETL引脚图与封装图
DTD543ZETL引脚图
DTD543ZETL封装图
DTD543ZETL封装焊盘图
在线购买DTD543ZETL
型号: DTD543ZETL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
替代型号DTD543ZETL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTD543ZETL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DTD523YETL

罗姆半导体

完全替代

DTD543ZETL和DTD523YETL的区别

DTD543XETL

罗姆半导体

完全替代

DTD543ZETL和DTD543XETL的区别

DTD543ZMT2L

罗姆半导体

完全替代

DTD543ZETL和DTD543ZMT2L的区别

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