晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
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DTD543ZETL
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TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
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Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
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晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
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Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R
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TRANS DIGITAL NPN 12V 500MA EMT3
额定功率 0.15 W
输出电压 60 mV
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 12 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 260 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
封装 SOT-416-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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