双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
DTA123JM Series 50 V 100 mA Surface Mount PNP Digital Transistor - VMT-3
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TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
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1个PNP-预偏置 100mA 50V
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双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
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TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
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TRANS PNP 50V 100MA VMT3
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 VMT-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA123JMT2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA123EMT2L 罗姆半导体 | 类似代替 | DTA123JMT2L和DTA123EMT2L的区别 |
PDTC123JU,115 安世 | 功能相似 | DTA123JMT2L和PDTC123JU,115的区别 |
DTC114EEBTL 罗姆半导体 | 功能相似 | DTA123JMT2L和DTC114EEBTL的区别 |