DTD743EETL参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTD743EETL概述

EMT NPN 30V 200mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

DeviceMart:
TRANS DIGITAL NPN 30V 200MA EMT3

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

DTD743EETL中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 200mA

最小电流放大倍数hFE 115 @100mA, 2V

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTD743EETL引脚图与封装图

在线购买DTD743EETL

型号： DTD743EETL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：EMT NPN 30V 200mA

替代型号DTD743EETL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTD743EETL ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTD743EMT2L 罗姆半导体	类似代替	DTD743EETL和DTD743EMT2L的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

DTD743EETL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

DTD743EMT2L

罗姆半导体

类似代替