DTC114EETL

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DTC114EETL概述

ROHM  DTC114EETL  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 30 hFE

双电阻器数字 NPN ,ROHM


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3


欧时:
ROHM DTC114EETL NPN 数字晶体管, 100 mA, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 EMT封装


立创商城:
1个NPN-预偏置 50mA 50V


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SOT-416


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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R


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Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin EMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin EMT T/R


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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R


Newark:
# ROHM  DTC114EETL  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 30 hFE


儒卓力:
**NPN DIGITALTRANS.10K/10K EMT3 **


力源芯城:
NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3


DeviceMart:
TRANS NPN 50V 50MA SOT-416


DTC114EETL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.7 mm

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DTC114EETL引脚图与封装图
DTC114EETL引脚图
DTC114EETL封装图
DTC114EETL封装焊盘图
在线购买DTC114EETL
型号: DTC114EETL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  DTC114EETL  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 250 MHz, 150 mW, 100 mA, 30 hFE
替代型号DTC114EETL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTC114EETL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DTC114EEFRATL

罗姆半导体

完全替代

DTC114EETL和DTC114EEFRATL的区别

DTC114EKAT146

罗姆半导体

类似代替

DTC114EETL和DTC114EKAT146的区别

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罗姆半导体

类似代替

DTC114EETL和DTC114TMT2L的区别

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