VMT NPN 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
欧时:
NPN 100mA 50V Digital Transis R100/100
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin VMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
额定电压DC 50.0 V
额定电流 20.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 82 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
封装 VMT-3
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTC115EMT2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC115EEBTL 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC115EMT2L和DTC115EEBTL的区别 |
DTC115EKAT146 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC115EMT2L和DTC115EKAT146的区别 |
DTC115GKAT146 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC115EMT2L和DTC115GKAT146的区别 |