EMT PNP 50V 100mA
- 双极 BJT - 单，预偏置
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin EMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
DeviceMart:
TRANS PNP 50V 100MA SOT-416
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 24 @10mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SC-75-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA114WETL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA114WE 罗姆半导体 | 类似代替 | DTA114WETL和DTA114WE的区别 |
DDTA114WE-7-F 美台 | 功能相似 | DTA114WETL和DDTA114WE-7-F的区别 |
DDTA114WE-7 美台 | 功能相似 | DTA114WETL和DDTA114WE-7的区别 |