DTA123EMT2L 编带
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
立创商城:
1个PNP-预偏置 100mA 50V
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin VMT T/R
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Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin VMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 20 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723
封装 SOT-723
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTA123EMT2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA123JMT2L 罗姆半导体 | 类似代替 | DTA123EMT2L和DTA123JMT2L的区别 |
DTC114EEBTL 罗姆半导体 | 功能相似 | DTA123EMT2L和DTC114EEBTL的区别 |
PDTC123JU,115 恩智浦 | 功能相似 | DTA123EMT2L和PDTC123JU,115的区别 |