DRA2143Y0L参数规格_中文资料_数据手册PDF

DRA2143Y0L概述

Mini3-G3-B PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压表面贴装型迷你型3-G3-B

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm

安富利:
TRANSISTOR WITH BUILT-IN RESISTORS

DRA2143Y0L中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 Mini3-G3-B

外形尺寸

封装 Mini3-G3-B

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DRA2143Y0L引脚图与封装图

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型号： DRA2143Y0L

描述：Mini3-G3-B PNP 50V 100mA