DTC623TUT106参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC623TUT106概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 20 V, 600 mA, 2.2 kohm

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压表面贴装型 UMT3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT NPN 20V 600MA 3PIN

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 20 V, 600 mA, 2.2 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 20V 600mA 3-Pin UMT T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN 20V 600mA 3-Pin UMT T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 20V 600mA 3-Pin UMT T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 20V 600mA 3-Pin UMT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

DTC623TUT106中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 600mA

最小电流放大倍数hFE 820 @50mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 2700

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 150 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTC623TUT106引脚图与封装图

在线购买DTC623TUT106

型号： DTC623TUT106

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 20 V, 600 mA, 2.2 kohm

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