DTC024EEBTL

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DTC024EEBTL概述

DTC024EEBTL 编带

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F SOT-416FL


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89


立创商城:
1个NPN-预偏置 30mA 50V


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R


DTC024EEBTL中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-490

外形尺寸

封装 SOT-490

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

DTC024EEBTL引脚图与封装图
DTC024EEBTL引脚图
DTC024EEBTL封装图
DTC024EEBTL封装焊盘图
在线购买DTC024EEBTL
型号: DTC024EEBTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:DTC024EEBTL 编带
替代型号DTC024EEBTL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTC024EEBTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DTC024EMT2L

罗姆半导体

完全替代

DTC024EEBTL和DTC024EMT2L的区别

DTC024EUBTL

罗姆半导体

功能相似

DTC024EEBTL和DTC024EUBTL的区别

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