DTB123YUT106

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DTB123YUT106概述

PNP -500mA -50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) PNP -500mA -50V Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 UMT3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3


立创商城:
1个PNP-预偏置 500mA 50V


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 3-Pin UMT T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 500mA 3-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 3-Pin UMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 3-Pin UMT T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3


DTB123YUT106中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.2 W

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DTB123YUT106引脚图与封装图
DTB123YUT106引脚图
DTB123YUT106封装图
DTB123YUT106封装焊盘图
在线购买DTB123YUT106
型号: DTB123YUT106
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:PNP -500mA -50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) PNP -500mA -50V Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors

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