EMTF NPN 50V 100mA
DTC123J Series 50 V 100 mA SMT NPN Digital Transistor - EMT3F SC-89
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin EMT3F T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416
封装 SOT-416
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTC123JEBTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC123JMT2L 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC123JEBTL和DTC123JMT2L的区别 |
DTC123JUAFRAT106 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC123JEBTL和DTC123JUAFRAT106的区别 |
DTC123JUAT106 罗姆半导体 | 功能相似 | DTC123JEBTL和DTC123JUAT106的区别 |