DTC043TEBTL

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DTC043TEBTL概述

EMTF NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 EMT3F(SOT-416FL)


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F


立创商城:
DTC043TEBTL


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R


DTC043TEBTL中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 EMT-3F-3

外形尺寸

封装 EMT-3F-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

DTC043TEBTL引脚图与封装图
DTC043TEBTL引脚图
DTC043TEBTL封装图
DTC043TEBTL封装焊盘图
在线购买DTC043TEBTL
型号: DTC043TEBTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:EMTF NPN 50V 100mA
替代型号DTC043TEBTL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTC043TEBTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DTC043TMT2L

罗姆半导体

完全替代

DTC043TEBTL和DTC043TMT2L的区别

DTC015TEBTL

罗姆半导体

完全替代

DTC043TEBTL和DTC015TEBTL的区别

DTC143TETL

罗姆半导体

功能相似

DTC043TEBTL和DTC143TETL的区别

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