DTA043TMT2L参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA043TMT2L概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3

立创商城:
DTA043TMT2L

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R

Verical:
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSISTORS BIAS RESISTOR BUILT-IN TRANSISTORS DATASHEET

DTA043TMT2L中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-105-3

外形尺寸

封装 SC-105-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

DTA043TMT2L引脚图与封装图

在线购买DTA043TMT2L

型号： DTA043TMT2L

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm

替代型号DTA043TMT2L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTA043TMT2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTA015TEBTL 罗姆半导体	完全替代	DTA043TMT2L和DTA015TEBTL的区别
DTA043TEBTL 罗姆半导体	完全替代	DTA043TMT2L和DTA043TEBTL的区别
DTA014TEBTL 罗姆半导体	完全替代	DTA043TMT2L和DTA014TEBTL的区别