DTA125TKAT146概述
SMT PNP 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMT3
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Switching Diode
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMT3
DTA125TKAT146中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
DTA125TKAT146引脚图与封装图 
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