DTC044EEBTL 编带
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F SOT-416FL
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
立创商城:
1个NPN-预偏置 30mA 50V
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin EMT3F T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
额定功率 0.15 W
输出电压 50 mV
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 EMT-3F-3
封装 EMT-3F-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTC044EEBTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC043ZEBTL 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC044EEBTL和DTC043ZEBTL的区别 |
DTC043ZMT2L 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC044EEBTL和DTC043ZMT2L的区别 |
DTC015EMT2L 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC044EEBTL和DTC015EMT2L的区别 |