DTC114TUBTL参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC114TUBTL概述

UMTF NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT3F T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R

DTC114TUBTL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买DTC114TUBTL

型号： DTC114TUBTL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：UMTF NPN 50V 100mA

替代型号DTC114TUBTL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTC114TUBTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTC114EKAT146 罗姆半导体	功能相似	DTC114TUBTL和DTC114EKAT146的区别
DTC114EETL 罗姆半导体	功能相似	DTC114TUBTL和DTC114EETL的区别
DTC114EUAT106 罗姆半导体	功能相似	DTC114TUBTL和DTC114EUAT106的区别