EMT NPN 50V 100mA
- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 EMT3
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin EMT T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
儒卓力:
**NPN DIGITALTRANS.10K/4,7K EMT3 **
DeviceMart:
TRANS NPN 50V 100MA SOT-416
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 24 @10mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
封装 SC-75-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTC114WETL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC114WUAT106 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC114WETL和DTC114WUAT106的区别 |
DTC114WSATP 罗姆半导体 | 功能相似 | DTC114WETL和DTC114WSATP的区别 |
KRC120S KEC株式会社 | 功能相似 | DTC114WETL和KRC120S的区别 |