DTA143EKAT246参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA143EKAT246概述

SMT PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin SMT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

DTA143EKAT246中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTA143EKAT246

型号： DTA143EKAT246

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SMT PNP 50V 100mA

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