EMTF NPN 50V 100mA
- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 20 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 EMT3F（SOT-416FL）
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-416FL T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin EMTF T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 20 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3F SOT-416FL
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-490
封装 SOT-490
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTC015EEBTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC043ZEBTL 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC015EEBTL和DTC043ZEBTL的区别 |
DTC043ZMT2L 罗姆半导体 | 完全替代 | DTC015EEBTL和DTC043ZMT2L的区别 |
DTC143ZEBTL 罗姆半导体 | 类似代替 | DTC015EEBTL和DTC143ZEBTL的区别 |