DTC143TUBTL参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC143TUBTL概述

晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R

DTC143TUBTL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.2 W

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-85

外形尺寸

封装 SC-85

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTC143TUBTL

型号： DTC143TUBTL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm

替代型号DTC143TUBTL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTC143TUBTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTC143ZUBTL 罗姆半导体	类似代替	DTC143TUBTL和DTC143ZUBTL的区别
DTC143EUBTL 罗姆半导体	类似代替	DTC143TUBTL和DTC143EUBTL的区别
DTC143XUBTL 罗姆半导体	类似代替	DTC143TUBTL和DTC143XUBTL的区别