DTB543ZETL

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DTB543ZETL概述

EMT PNP 12V 500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin EMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin EMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin EMT T/R


DTB543ZETL中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

输出电压 60 mV

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 260 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 EMT-3

外形尺寸

封装 EMT-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTB543ZETL
型号: DTB543ZETL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:EMT PNP 12V 500mA
替代型号DTB543ZETL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTB543ZETL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DTB513ZETL

罗姆半导体

完全替代

DTB543ZETL和DTB513ZETL的区别

DTB523YETL

罗姆半导体

完全替代

DTB543ZETL和DTB523YETL的区别

DTB513ZMT2L

罗姆半导体

完全替代

DTB543ZETL和DTB513ZMT2L的区别

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