DTD133HKT146参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTD133HKT146概述

SMT NPN 50V 500mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SMT3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SMT3

DTD133HKT146中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 56 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTD133HKT146

型号： DTD133HKT146

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SMT NPN 50V 500mA

替代型号DTD133HKT146

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTD133HKT146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTD114GKT146 罗姆半导体	完全替代	DTD133HKT146和DTD114GKT146的区别
DDTD133HC-7-F 美台	类似代替	DTD133HKT146和DDTD133HC-7-F的区别
DTD113ZS 罗姆半导体	功能相似	DTD133HKT146和DTD113ZS的区别