DTC124EKAT246参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC124EKAT246概述

Trans Digital BJT NPN 100mA 3Pin SOT-346 T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin SOT-346 T/R

DTC124EKAT246中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTC124EKAT246

型号： DTC124EKAT246

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Trans Digital BJT NPN 100mA 3Pin SOT-346 T/R

替代型号DTC124EKAT246

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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