DTA143XEBTL参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA143XEBTL概述

EMTF PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R

Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R

DTA143XEBTL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 EMT-3

外形尺寸

封装 EMT-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTA143XEBTL

型号： DTA143XEBTL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：EMTF PNP 50V 100mA

替代型号DTA143XEBTL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTA143XEBTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTA143EEBTL 罗姆半导体	完全替代	DTA143XEBTL和DTA143EEBTL的区别
DTA114GUAT106 罗姆半导体	功能相似	DTA143XEBTL和DTA114GUAT106的区别
DTA114EEBTL 罗姆半导体	功能相似	DTA143XEBTL和DTA114EEBTL的区别