DTB743XMT2L参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTB743XMT2L概述

VMT PNP 30V 200mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 30 V 200 mA 260 MHz 150 mW 表面贴装型 VMT3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

安富利:
Trans Digital BJT PNP 200mA 3-Pin VMT T/R

DTB743XMT2L中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 200mA

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTB743XMT2L

型号： DTB743XMT2L

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：VMT PNP 30V 200mA

替代型号DTB743XMT2L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTB743XMT2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTB713ZMT2L 罗姆半导体	完全替代	DTB743XMT2L和DTB713ZMT2L的区别
DTB723YETL 罗姆半导体	类似代替	DTB743XMT2L和DTB723YETL的区别
DTB713ZETL 罗姆半导体	类似代替	DTB743XMT2L和DTB713ZETL的区别