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DTB743EMT2L图片1

DTB743EMT2L概述

双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压表面贴装型 VMT3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR

DTB743EMT2L中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 200mA

最小电流放大倍数hFE 115 @100mA, 2V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VMT-3

外形尺寸

封装 VMT-3

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTB743EMT2L

型号： DTB743EMT2L

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR