DTB513ZMT2L参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTB513ZMT2L概述

VMT PNP 12V 500mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW 表面贴装型 VMT3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

欧时:
PNP Digital transistor

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

Verical:
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

DTB513ZMT2L中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 260 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买DTB513ZMT2L

型号： DTB513ZMT2L

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：VMT PNP 12V 500mA

替代型号DTB513ZMT2L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTB513ZMT2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
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