DTB543EMT2L

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DTB543EMT2L概述

VMT PNP 12V 500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount VMT3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin VMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 12V 500mA 3-Pin VMT T/R


DTB543EMT2L中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 115 @100mA, 2V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 260 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTB543EMT2L
型号: DTB543EMT2L
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:VMT PNP 12V 500mA
替代型号DTB543EMT2L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTB543EMT2L

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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罗姆半导体

完全替代

DTB543EMT2L和DTB543EETL的区别

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