DTD513ZMT2L

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DTD513ZMT2L概述

晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount VMT3


DTD513ZMT2L中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 260 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买DTD513ZMT2L
型号: DTD513ZMT2L
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管 双极预偏置/数字, 单路NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
替代型号DTD513ZMT2L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTD513ZMT2L

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DTD523YETL

罗姆半导体

完全替代

DTD513ZMT2L和DTD523YETL的区别

DTD543ZETL

罗姆半导体

完全替代

DTD513ZMT2L和DTD543ZETL的区别

DTD543XETL

罗姆半导体

完全替代

DTD513ZMT2L和DTD543XETL的区别

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