DTB122JKT146参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTB122JKT146概述

双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA TR

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SMT3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA TR

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 3-Pin SMT T/R

DTB122JKT146中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 47 @50mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-59-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SC-59-3

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTB122JKT146

型号： DTB122JKT146

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA TR

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DTB122JKT146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
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