DTA124ESATP参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA124ESATP概述

PNP 50V 30MA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 30mA 250MHz 300mW Through Hole SPT

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 30MA

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin SPT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

DTA124ESATP中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -30.0 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SC-72

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 2 mm

高度 3 mm

封装 SC-72

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTA124ESATP

型号： DTA124ESATP

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：PNP 50V 30MA