DTC114ESATP

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DTC114ESATP概述

SPT NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 通孔 SPT


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin SPT T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT


DTC114ESATP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 SC-72-3

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 2 mm

高度 3 mm

封装 SC-72-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DTC114ESATP
型号: DTC114ESATP
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:SPT NPN 50V 100mA
替代型号DTC114ESATP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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