DTB123ESTP参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTB123ESTP概述

SPT PNP 50V 500mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压通孔 SPT

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 500mA 3-Pin SPT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

DTB123ESTP中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 39 @50mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 SC-72

外形尺寸

封装 SC-72

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DTB123ESTP

型号： DTB123ESTP

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SPT PNP 50V 500mA

替代型号DTB123ESTP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTB123ESTP ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTB123ES 罗姆半导体	类似代替	DTB123ESTP和DTB123ES的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

DTB123ESTP

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

DTB123ES

罗姆半导体

类似代替