DTC123JSATP参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC123JSATP概述

SPT NPN 50V 100mA

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压通孔 SPT

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin SPT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

DTC123JSATP中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 SC-72

外形尺寸

封装 SC-72

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DTC123JSATP

型号： DTC123JSATP

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SPT NPN 50V 100mA

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替代型号DTC123JSATP

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RN1205 东芝	功能相似	DTC123JSATP和RN1205的区别
DTC123JSA 罗姆半导体	功能相似	DTC123JSATP和DTC123JSA的区别

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