DTC143ESATP参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTC143ESATP概述

NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压通孔 SPT

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 3-Pin SPT T/R

力源芯城:
NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管

DTC143ESATP中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 30

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 SC-72-3

外形尺寸

封装 SC-72-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买DTC143ESATP

型号： DTC143ESATP

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管

替代型号DTC143ESATP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTC143ESATP ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
RN1401 东芝	功能相似	DTC143ESATP和RN1401的区别
KRC119S KEC株式会社	功能相似	DTC143ESATP和KRC119S的区别
RN1105FV 东芝	功能相似	DTC143ESATP和RN1105FV的区别