DTA114ESATP参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA114ESATP概述

内置偏置电阻使能逆变器电路的配置，而无需连接外部输入电阻器 Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 300mW Through Hole SPT

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50mA 3-Pin SPT T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

DTA114ESATP中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -50.0 mA

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 50mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 SC-72-3

外形尺寸

封装 SC-72-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买DTA114ESATP

型号： DTA114ESATP

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：内置偏置电阻使能逆变器电路的配置，而无需连接外部输入电阻器 Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors

替代型号DTA114ESATP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DTA114ESATP ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
DTB143EKT146 罗姆半导体	类似代替	DTA114ESATP和DTB143EKT146的区别
MUN5111DW1T1G 安森美	功能相似	DTA114ESATP和MUN5111DW1T1G的区别
MUN2237T1G 安森美	功能相似	DTA114ESATP和MUN2237T1G的区别