DTA114TET1参数规格_中文资料_数据手册PDF

DTA114TET1概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-416 T/R

DTA114TET1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-75-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SC-75-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买DTA114TET1

型号： DTA114TET1

描述：偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

替代型号DTA114TET1